印网掩模Screen Mask
标新综合技术全方位解决方案
以四大核心技术为基础,向顾客提供各种服务。
概述
不使用聚酯纤维(Polyester Mesh)而是使用不锈钢网Stainless Steel(SUS)Mesh的高精密制版,使用在需要细微模式的半导体,LCD,OLED,MLCC,太阳电池,Ag电极,透明电极等细微印刷中。
直拉网不锈钢网Stainless Steel(SUS)Mesh因而可以拥有一定的模式,之后突然感光剂,为了形成细微模式通过光掩膜版(Photo mask)
露出光线后变为图片化,打开所需要的模式部位的技术。
适用
- 智能手机
- 可穿戴式
- 柔性
- 氢自动机
- 替代能源
规格
材料 | SUS Mesh 250, 325, 350, 400, 500 以外 CAL Mesh | |
---|---|---|
加工厚度 | 15㎛, 20㎛, 30㎛, 35㎛, 40㎛, 50㎛ 等 可以选择 | |
厚度精密度 | ±5% | |
加工精密度 | ±10㎛ | |
最少Opening | 最少60㎛ | |
感光乳剂Emulsion厚度 | 5㎛ ~ 30㎛ | |
Min Line宽度 | 最少20㎛ | |
适用产品 | 半导体,LED PKG,MLCC, LTCC芯片配件,OLED,LCD,太阳电池电极印刷等 | |
截止日期 | 3日内。 | |
框架大小 | 320mm × 320mm 或者 550mm × 550mm以外 | |
Paste空缺 | 优秀(需要的话可以代为使用混合掩模Hybrid Mask) | |
特征 | 设计Auto CAD后制作光掩膜版Photo Mask | |
尺寸安全度,体现高分辨率 | ||
代替技术 | E-FORM Mask, 混合掩模(Hybrid Mask) 等 | |
适用 | 显示屏,半导体, LED, 芯片电子配件,电极印刷 |
特性
设计Auto CAD后
制作光掩膜版Photo Mask尺寸安全性
体现高分辨率
Electroforming Products
Ni + Co Alloy Plating
SMT(表面安装), 高直接电路
Ni + Co Alloy Plating
Chip On Board(COB)
SUS 316
Flip Chip, Wafer Ball
Ni + Co Alloy Plating
Wafer Ball(300mm)
Ni + Co Alloy Plating
Wafer Flux(300mm)
Ni + Co Alloy Plating
Wafer LED(100mm)
Ni + Co Alloy Plating
Chip Package
Ni + Co Alloy Plating
Electronics
Ni + Co Alloy Plating
Cleantech or Food Industry
Ni + Co Alloy Plating
Solder Ball, Powder
Ni + Co Alloy Plating
Electronics
Ni + Co Alloy Plating
Others